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TSV硅通孔工程师考试试卷及答案

TSV硅通孔工程师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分，共10分）

1.TSV的中文全称是______。

2.TSV工艺中，常用的绝缘层材料是______。

3.TSV电镀铜工艺的种子层通常由______和铜组成。

4.衡量TSV结构的重要参数之一是______比。

5.TSV技术主要用于实现______集成电路的垂直互连。

6.TSV刻蚀工艺中，常用的干法刻蚀方法是______刻蚀。

7.TSV中的铜填充容易产生的缺陷是______。

8.TSV的电学性能参数包括接触______和漏电流。

9.MEMS器件中，TSV可用于实现______与电路的集成。

10.TSV工艺后，常用______技术进行晶圆减薄。

二、单项选择题（共10题，每题2分，共20分）

1.以下哪项是TSV工艺的正确顺序？（）

A.刻蚀→绝缘→种子层→电镀→减薄

B.绝缘→刻蚀→种子层→电镀→减薄

C.种子层→刻蚀→绝缘→电镀→减薄

D.刻蚀→种子层→绝缘→电镀→减薄

2.TSV深宽比一般要求达到多少以上？（）

A.5:1B.10:1C.15:1D.20:1

3.以下哪种材料不用于TSV的种子层？（）

A.TiB.CuC.AlD.Ta

4.TSV电镀铜时，为防止空洞产生，常用的方法是？（）

A.降低电流密度B.缩短电镀时间C.减少添加剂D.采用脉冲电镀

5.3DIC