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半导体晶圆离子注入工艺技师考试试卷及答案

半导体晶圆离子注入工艺技师考试试卷及答案

一、填空题（共10题，每题1分）

1.离子注入的主要目的是______。

2.离子注入工艺中常用的离子源类型有______（举一种）。

3.离子注入的剂量单位是______。

4.决定离子注入深度的主要参数是______。

5.离子注入后通常需要进行______处理来激活杂质。

6.离子注入设备中用于筛选特定离子的部件是______。

7.注入离子在晶圆中的分布通常符合______分布。

8.防止离子注入损伤的常用方法是______注入。

9.离子注入工艺中，晶圆的倾斜角度通常用来避免______效应。

10.