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2025年集成电路技术的试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共10分）

1.2025年主流先进制程（3nm及以下）中，解决短沟道效应的核心器件结构是？

A.FinFET（鳍式场效应晶体管）

B.GAAFET（环绕栅场效应晶体管）

C.FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）

D.TFET（隧穿场效应晶体管）

2.Chiplet（小芯片）技术在2025年的主要应用场景中，以下哪项不属于其核心优势？

A.降低流片成本

B.提升单一芯片集成度

C.支持多工艺节点混合集成

D.缩短设计周期

3.2025年RISC-V架构在物联网芯片中的普及，主要得益于其？

A.完全开源的指令集生态

B.与x86架构的兼容性

C.固定的硬件设计规范

D.对复杂指令集的优化支持

4.存算一体芯片在2025年的关键技术挑战是？

A.存储单元与计算单元的物理隔离

B.非易失性存储介质的读写速度

C.数据并行处理的能效比提升

D.多模态数据的统一处理框架

5.2025年ASMLEUV光刻机（极紫外光刻）的光源功率需达到多少才能满足高产能需求？

A.250W

B.350W

C.500W

D.750W

二、填空题（每空2分，共20分）

1.2025年3nm以下制程中，GAAFE