多低功耗CMOS直接下变频接收机前端设计.pdfVIP

低功耗、低成本CMOS直接下变频前端，适用于多应用

Jusung

Kim，IEEE会员；Jose

Silva‑Martinez，IEEE

——本文采用0.13微米CMOS工艺集成了一款宽带CMOS直接下变频，内置分频器。

该前端的设计是采用单一低噪声跨导放大器（LNTA）驱动电流型无源混频器，

并以低输入阻抗跨阻放大器（TIA）作为终端。该接收链路具有更强的带外干扰鲁棒性和卓

越的线性度。我们采用带双反馈的宽带共栅极（CG）LNTA，在不破坏输入阻抗、跨导增益

与负载阻抗固有关系的前提下，同时提升了增益和噪声系数（NF）。通过LNTA负载阻抗提

升技术，抑制了无源混频器中常见的TIA噪声放大效应。电路（射频与基带信号路径）

功耗仅为13毫瓦，原型在1.4至5.2

GHz频段内实现22.4

dB转换增益、8.3

dB噪声系数

及1.5

dBm输入三阶交调点。在1.4

GHz和2

GHz处分别达到24.3

dB最大转换增益和6.5

dB最

低噪声系数。有效面积为1.1平方毫米，整个射频信号路径采用1.2V电源供电，本振部分

则使用1.5V偏置电压。

索引术语—宽带接收器、CMOS、共栅放大器、直接