半导体设备 集成电路制造用化学机械抛光（CMP）设备测试方法标准化发展研究报告.docxVIP

半导体设备集成电路制造用化学机械抛光（CMP）设备测试方法标准化发展报告

CMP设备作为CMP工艺的实施载体，其技术性能与稳定性是保障工艺质量的关键因素。随着制程节点不断微缩，晶圆尺寸从200mm向300mm全面过渡，先进工艺对CMP设备的抛光均匀性（WIWNU，Within-WaferNon-Uniformity）、批次一致性（WTWNU，Wafer-to-WaferNon-Uniformity）、材料去除速率（MRR，MaterialRemovalRate）、缺陷密度（DefectDensity）等核心性能指标提出了更为严苛的要求。

摘要

据SEMI（国际半导体产业协会）统计数据显示，全球CMP设备市场规模在2023年约为35亿美元，预计到2025年将突破45亿美元，年复合增长率保持在12%以上。当前，全球CMP设备市场长期由美国应用材料公司（AppliedMaterials）和日本荏原制作所（EbaraCorporation）两大巨头垄断，两家企业合计占据全球市场份额的90%以上。中国作为全球最大的半导体消费市场，CMP设备的国产化率仍然偏低，加快CMP设备核心技术的自主突破与产业化进程，已成为保障我国集成电路产业链供应链安全稳定的迫切需求。1.3标准修订的必要性与紧迫性在CMP设备国产化进程加速推进的背景下，建立科学完善的设备测试方法标准体系显得尤