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半导体先进节点钌互连直接沉积：原子层沉积设备与钌前驱体的成核延迟与薄膜连续性竞争

摘要

本报告聚焦半导体先进节点钌互连直接沉积技术，深度剖析原子层沉积（ALD）设备与钌前驱体在成核延迟与薄膜连续性方面的竞争格局。报告以ASM、东京电子（TEL）等核心企业为分析对象，系统梳理了ALDRu沉积循环参数、Ru(EtCp)2等前驱体吸附特性及设备氧源脉冲对成核密度与薄膜电阻率的协同控制机制。

全文遵循“背景扫描→格局研判→对手剖析→策略拆解→优劣势对比→趋势预判→策略建议”的逻辑递进展开。研究发现，随着互连线宽逼近物理极限，钌因具有更低的电阻率和优异的抗电迁移能力，正逐步替代传统的铜互连。然而，ALDRu沉积过程中普遍面临的成核延迟问题，直接导致薄膜连续性变差、电阻率飙升，成为制约良率的核心瓶颈。

核心竞争数据显示，ASM凭借其先进的空间ALD（SpatialALD）设备及优化的氧源脉冲策略，在成核密度控制上占据领先地位；而东京电子则通过改进的ALD腔室设计与前驱体脉冲精控技术，在薄膜均匀性与缺陷控制方面表现突出。报告进一步指出，前驱体分子结构与设备流体动力学的协同优化是突破成核延迟的关键。

基于对竞争格局的研判，本报告建议国内设备与材料企业应摒弃单点突破的思路，转向“设备-材料-工艺”协同研发模式。通过定制化开发适配新型前驱体的高性能ALD反应腔，并精准调控氧源脉