微电子求职笔试题.docxVIP

微电子求职笔试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.在室温下，纯净硅的能带结构中，导带底和价带顶分别位于（）。

A.同一位置

B.导带底高于费米能级，价带顶低于费米能级

C.导带底低于费米能级，价带顶高于费米能级

D.导带底和价带顶均高于费米能级

2.P型半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

A.电子；空穴

B.空穴；电子

C.电子；电子

D.空穴；空穴

3.当PN结外加正向电压时，其耗尽层宽度（）。

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.先变宽后变窄

4.BJT实现电流放大作用的基础是（）。

A.基区很薄

B.发射结正向偏置，集电结反向偏置（对NPN）

C.载流子在基区的扩散与复合

D.集电极电流大于发射极电流

5.MOSFET工作时，若漏极电流ID处于饱和区，则其漏源电压VDS与栅源电压VGS的关系是（）。

A.VDSVGS-VT

B.VDS≥VGS-VT

C.VDSVT

D.VDS≥VT

6.MOSFET的栅极电流I_G在理想情