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40V N沟道功率MOSFET技术手册.pdfVIP

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  • 2026-08-19 发布于北京
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40V N沟道功率MOSFET技术手册.pdf

    2012年12月

    FDMS8460

    N沟道功率Trench®MOSFET

    40V，49A，

    2.2m

    特性概述

    最大rDS(on)

    =2.2m在VGS

    =10V，ID

    =25A最大这款N沟道MOSFET采用Fairchild

    Semiconductor先进的

    rDS(on)

    =3.0m在VGS

    =4.5V，ID

    =21.7A先进的封装Power

    Trench®工艺制造，该工艺特别设计以最小化导通电阻，

    和硅组合以实现低rDS(on)MSL1坚固的封装设计100%

    同时保持优异的开关性能。

    UIL测试符合RoHS

    应用

    直流‑直流转换

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