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Mg?Si薄膜脉冲激光沉积及结构控制的研究与探索

一、引言

1.1研究背景

在半导体材料领域，随着科技的飞速发展，对于新型材料的探索和研究始终是推动行业进步的关键动力。Mg?Si薄膜作为一种极具潜力的半导体材料，近年来受到了广泛的关注。Mg?Si由地球上资源丰富、对生态适应性高、能再生利用的Si、Mg元素构成，具有储量丰富且廉价的显著优势。同时，它还具备耐腐蚀、无污染、抗氧化、无毒无害等特性，并且能与传统的Si工艺兼容，这些优点使得Mg?Si薄膜在多个领域展现出广阔的应用前景。

在光电器件领域，Mg?Si薄膜在1.2-1.8μm红外波段具有良好的适用性，适用于现代通讯器件，有望为红外传感器等设备的发展提供新的材料选择。在电子器件方面，它与n型Si有着很好的欧姆接触，接触电阻率比金属Al还小一个数量级，这为提高电子器件的性能和稳定性提供了可能。此外，Mg?Si还被认为是一种热电效率高（ZT1）的热电材料，在能源器件领域，如热电发电机和制冷器等方面具有潜在的应用价值，能够为能源的高效利用和转换开辟新的途径。

然而，制备高质量的Mg?Si薄膜并非易事。由于金属Mg蒸汽压很高，即使在200℃时，凝结系数也非常小，这使得在薄膜制备过程中，Mg原子难以有效地沉积在衬底上。此外，Mg?Si在高温条件下容易分解与氧化，这进一步增加了制备高质