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N沟道增强型场效应晶体管技术手册.pdfVIP

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  • 2026-08-19 发布于北京
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N沟道增强型场效应晶体管技术手册.pdf

    2010年3月

    BS170

    /

    MMBF170

    N沟道增强模式场效应晶体管

    一般描述特性

    这些N沟道增强模式场效应晶体管采用仙童专有的高单元密■度单元设计，实现低RDS(ON)。

    度DMOS技术制造。这些产品设计旨在最小化导通状态电

    ■电压控制的小信号开关。

    阻，同时坚固、可靠且快速的开关性能。它们适用于

    需要最大500mA直流电流的大多数应用。这些产品特别适■坚固且可靠。

    用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率■

    高饱和电流能力。

    MOSFET栅极驱动器及其他开关应用。

    BS170MMBF170

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