CN119653815A 基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法 (西安电子科技大学广州研究院).pdfVIP

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  • 2026-08-20 发布于重庆
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CN119653815A 基于异质结空穴超注入的Ga2O3场效应管及其制备方法 (西安电子科技大学广州研究院).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119653815A

(43)申请公布日2025.03.18

(21)申请号202411682890.9

(22)申请日2024.11.22

(71)申请人西安

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