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氧化镓应用前景01;
氧化镓(Ga2O3)是一种超宽禁带半导体,存在多种不同的晶相,可以互相转化
常压下β相最稳定,熔体法生长温度高,只能获得β相
β相的晶体结构为单斜,对称性低,各向异性强,带来诸多问题;;
在众多宽禁带半导体中,唯一可用常压、传统熔体法做大尺寸晶体的宽禁带半导体
具有生长速度快(1~2个数量级)、大规模量产成本低、可做高质量大尺寸晶体等优点;
氧化镓的硬度(6)与硅的硬度接近,可以用硅成熟的加工设备和技术(金刚线切割,CMP)
具有高的加工效率和成品率,可显著降低成本;
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