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长江存储化学专业招聘笔试试题（含详细答案）

适用岗位：工艺工程师、湿法工艺、薄膜工艺、蚀刻工艺、材料研发、品质检测（化学方向）

考试时长：90分钟

总分：100分

题型说明：试题贴合长江存储3DNAND闪存芯片制造实际制程，聚焦半导体化学基础、湿法清洗、蚀刻、薄膜沉积、材料特性、实验室安全等核心考点，无偏题怪题，贴合真实校招笔试难度。

一、单项选择题（共15题，每题2分，共30分）

1、半导体晶圆湿法清洗工艺中，标准清洗液SC1的核心配比成分是（）

A、氨水+双氧水+纯水

B、盐酸+双氧水+纯水

C、硫酸+双氧水+纯水

D、氢氟酸+纯水

2、3DNAND芯片制造中，常用于去除晶圆表面有机杂质、颗粒污染物的清洗工序是（）

A、SC2清洗

B、SC1清洗

C、DHF清洗

D、SPM清洗

3、下列物质中，属于半导体衬底核心原材料，且为金刚石型晶体结构的是（）

A、二氧化硅

B、单晶硅

C、氮化硅

D、碳化硅

4、干法蚀刻相较于湿法蚀刻，最核心的优势是（）

A、蚀刻速率更快

B、成本更低

C、图形分辨率高、各向异性好

D、操作更简单

5、化学气相沉积（CVD）工艺制备薄膜时，不影响薄膜沉积均匀性的因素是（）

A、反应温度

B、反应气体流量

C、晶圆摆放位置

D、实验室光照强度

6、半导体工艺中，氢氟酸（HF）主要用于刻蚀哪种材料（）

A、单晶硅

B、二氧化硅

C、氮化硅

D、金属铝