自旋电子材料与器件导论 课件 2磁阻效应与器件.pptx

第二章磁电阻效应

霍尔效应

霍尔效应目前已经发展为一个大家族，包括正常霍尔效应、反常霍尔效应、平面霍尔效应、自旋霍尔效应、量子霍尔效应、量子反常霍尔效应，等等。霍尔效应通常用Hallbar来测量，一般为长条形，设计为十字交叉结构。在面内的水平方向通电流，测量薄膜面内水平或垂直方向上的电压。对于不同类型的霍尔效应，测量时其外磁场、电流与待测电压的相对取向不同。Ex→EyJx引言

正常霍尔效应?其中R0为霍尔系数，反映了霍尔效应的强弱。→EyJxH非磁性材料

正常霍尔效应?洛伦兹力使载流子偏离电流方向，使得电阻增大。当载流子为电子或空穴时，霍尔电场的符号将发生变化。因此在半导体材料中，通常通