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先进封装用硅中介层设计中的无源器件建模与寄生参数提取

摘要

本报告聚焦电子设计自动化（EDA）与先进封装交叉领域，系统研究硅中介层中电阻、电容、电感三类无源器件的建模方法及其对高速信号传输特性的影响机制。研究范围覆盖从物理建模到系统级仿真验证的完整技术链条，时间跨度涵盖2018至2028年，地理覆盖以亚太、北美、欧洲三大半导体产业集聚区为主。

报告核心发现如下：硅中介层寄生参数已成为制约2.5D/3D封装信号完整性（SI）的首要因素，其影响在112Gbps及以上速率场景中尤为显著。基于三维全波电磁仿真的寄生参数提取方法，在5GHz以上频段较传统准静态方法精度提升达40%以上。