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工艺集成电路制造技术复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

选择题（10题，每题2分，共20分）

1.干氧氧化与湿氧氧化的主要区别是（）

A.氧化速率B.氧化层质量C.氧化温度D.氧化源

2.正性光刻胶与负性光刻胶在曝光后的显影效果差异在于（）

A.正性胶曝光部分溶解，负性胶未曝光部分溶解

B.正性胶未曝光部分溶解，负性胶曝光部分溶解

C.两者均曝光部分溶解

D.两者均未曝光部分溶解

3.等离子体刻蚀的主要优点是（）

A.高选择比B.低成本C.isotropic刻蚀D.无需设备

4.离子注入工艺中，为了减少沟道效应，常采用（）技术

A.倾斜注入B.提高注入剂量C.降低注入能量D.增加退火时间

5.集成电路制造中最常用的衬底材料是（）

A.多晶硅B.单晶硅C.砷化镓D.绝缘体上硅

6.光刻工艺中，分辨率的主要影响因素不包括（）

A.光源波长B.数值孔径C.掩模版精度D.光刻胶厚度

7.湿法刻蚀的缺点是（）

A.各向异性差B.成本高C.精度高D.无污染

8.氧化层厚度的常用单