半导体前道栅极刻蚀终点检测：光学发射光谱设备与刻蚀气体 副产物光谱数据库竞争.docxVIP

PAGE2

半导体前道栅极刻蚀终点检测：光学发射光谱设备与刻蚀气体/副产物光谱数据库竞争分析报告

摘要

本报告聚焦半导体前道栅极刻蚀工艺中的终点检测（EndpointDetection,EPD）环节，深度剖析以光学发射光谱（OpticalEmissionSpectroscopy,OES）为核心技术的设备与配套光谱数据库的竞争格局。

核心分析对象为VerityInstruments与HORIBA，二者在等离子体刻蚀终点检测领域形成双寡头对峙。报告围绕Si、SiO?、SiN等关键材料的终点波长选择，以及CF?、SF?、Cl?等主流刻蚀气体化学的光谱特征展开技术性竞争分析。

核心发现表明，竞争的本质已从硬件信噪比与采样速率的比拼，深度演化为算法库的丰富度、光谱干扰剔除模型以及对复杂气体副产物瞬态变化的解析能力之争。Verity凭借其在深紫外波段的高灵敏度和针对氟基化学的精细化模型占据高端逻辑芯片刻蚀的制高点，而HORIBA则依托宽波段覆盖与针对氯基、溴基化学的庞大数据库，在存储器深孔刻蚀及化合物半导体领域构建了深厚壁垒。

报告通过“背景扫描—格局研判—对手剖析—策略拆解—优劣势对比—趋势预判”的递进逻辑，揭示了在先进制程向原子级精度迈进时，竞争焦点正从单一波长强度监测转向全光谱实时指纹图谱匹配与AI预测性终点逼近。最终，报告为设备选型与数据库构建策略提供了基于化学气体-