40V 100A低阻抗逻辑级MOSFET特性与应用.pdfVIP

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2013年3月

FDA8440N沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET

t

40

V,

100

A,

2.1

m

特性应用

R=1.46

m(典型值)

@

V=10V,

I=80•电动工具

DS(on)GSD

A

•Q=345nC

(典型值)

@

V=10V

低米勒电荷

G(tot)GS•

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