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- 2026-08-24 发布于广东
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SS6200
描述特性
SS6200是一款经过优化的单相MOSFET栅极驱动驱动2个N-MOSFETs
器,可驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极。高频工作(高达1MHz)
可以3.3V和5V的PWM输入
集成的自举二极管减少了外部元件数量。具有较宽输出上升时间快
内部自举二极管
的工作电压范围,可以优化高侧或低侧MOSFET栅
自适应穿透保护
极驱动电压以获得最佳效率。内部自适应无重叠电
欠压锁定
路通过防止两个MOSFET同时导通进一步降
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