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- 2026-08-22 发布于北京
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1996年12月
N
NDH8320C
双N沟道
与P沟道增强型场效应晶体管r
概述特性
这些双N沟道和P沟道增强型N沟道3A/20V,R=0.06@
V=4.5V
DS(ON)GS
功率场效应管采用R=0.075@
V=2.7V
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