《超高纯硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法编制说明》.doc

超高纯硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的

光致发光测试方法

编制说明

(征求意见稿)

江苏鑫华半导体科技股份有限公司

2026年7月

一．工作简况（包括任务来源、协作单位、主要工作过程）

1、任务来源

为补齐我国高端半导体超高纯硅材料超痕量杂质检测标准短板，解决现有检测标准灵敏度不足、适配性有限、无法满足高端产业检测需求的行业痛点，完善半导体硅材料检测标准体系，依托材料测试领域团体标准制修订工作安排，立项开展CSTM团体标准《超高纯硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法》的制定工作。本标准为首次制定，旨在建立适配超高纯本征硅单晶的超痕量Ⅲ-Ⅴ族杂质精准检测方法，规范行业检测流程，助力高端半导体硅