IEC 635052025 SiC MOSFET阈值电压(emVemsubTsub)测量指南标准立项发展报告.docx

SiCMOSFET阈值电压（\(V_T\)）测量指南标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GuidelinesforMeasuringtheThresholdVoltage(\(V_T\))ofSiCMOSFETs

摘要

随着碳化硅（SiC）金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在电动汽车、光伏逆变器、轨道交通及智能电网等高功率密度、高效率应用场景中的大规模部署，其可靠性评估与参数一致性保障已成为电力电子领域的关键技术议题。阈值电压（\(V_T\)）作为SiCMOSFET最核心的电参数之一，直接影响器件的导通特