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P沟道场效应晶体管NDS0605技术.pdfVIP

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  • 2026-08-25 发布于北京
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P沟道场效应晶体管NDS0605技术.pdf

    N1995年4月

    NDS0605

    P沟道增强型场效应晶体管

    概述特性

    这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用国民技术公司‑0.18A，‑60V。R=5@

    V=‑10V。由电

    DS(ON)GS

    的专有高单元密度DMOS技术制造。这种非常度压控制的P沟道小信号开关。度单元设计以实

    的工艺设计旨在最小化导通电阻，坚固可靠且快现低RDS(ON)。高饱和电流。

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