CN119521709A 基于P型AlGaN背势垒结构的高耐压AlGaN HEMT器件及制备方法 （西安电子科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119521709A

(43)申请公布日2025.02.25

(21)申请号202411631971.6

(22)申请日2024.11.15

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

申请人西安电子科技大学广州研究院

(72)发明人吴银河马兴驰张苇杭赵胜雷

张雅超冯欣刘志宏张进成

郝跃

(74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事

务所(普通合伙)61230

专利代理师王丹

(51)Int.Cl.

H10D30/47(2025.01)

H10D30/01(2025.01)

H10