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P沟道MOSFET特性与应用.pdf

P沟道MOSFET特性与应用.pdf

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    td

    {

    border:

    1px

    solid

    #000;

    }

    P沟道增强型MOSFET

    特性

    −20V/

    −7A,

    RDS(ON) = 25mΩ(典型值)

    ⊗V

     = −10V

    R = 35mΩ(典型值)@V = −4.

    csDS(ON)GS

    5V

    R = 55mΩ(典型值)@V = −2.5V

    超

    DS(ON)

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