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面向算力互联的硅基量子点发光二极管（QLED）：CMOS兼容的片上光源集成新路径

摘要

本报告聚焦于“硅基量子点发光二极管（QLED）与CMOS工艺兼容的片上光源集成”这一前沿方向，旨在为未来5-10年算力互联的光互连技术演进提供趋势预测。

报告核心判断如下：胶体量子点（CQD）与硅光波导的异质集成，将开辟一条独立于硅基直接发光和III-V族混合集成的第三条技术路径，其核心优势在于CMOS后端兼容的低温工艺和低成本潜力。

我们预测，至2030年，该技术将完成从实验室原型到工艺验证的跨越，首个基于电泵浦QLED的硅光集成链路演示系统将出现，功耗效率突破5%。

报告系统分析了宏观环境、技术驱动因素、研发现状，并采用场景推演法，量化预测了该技术在光互连、芯片间光通信等细分市场的渗透率。在基准场景下，至2035年，相关光模块成本有望降低20%，为东数西算和AI大模型算力中心提供高能效、低成本的互联解决方案。

最后，报告从技术攻关、产业生态、标准布局三个维度，为相关决策者提供了具体的战略建议。

第一章报告概述

1.1研究背景与目标

当前，高性能计算（HPC）和人工智能（AI）大模型驱动的算力需求呈指数级增长，传统电互连在带宽、功耗和延迟方面遭遇物理极限，成为“内存墙”和“功耗墙”的核心瓶颈。硅基光电子技术，以其与CMOS工艺的天然兼容性和高带宽优势，被视为突破算力互联瓶