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硅基光电子芯片制备技师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.硅基光电子芯片常用衬底材料是______。

2.制备SiO?层的常用化学气相沉积方法是______。

3.硅波导的核心作用是______光信号。

4.光刻工艺中的感光材料称为______。

5.利用化学反应的刻蚀类型是______刻蚀。

6.硅基光电探测器常用材料是______。

7.离子注入属于______掺杂工艺。

8.晶圆清洗常用酸溶液组合是______（写出一种）。

9.硅的折射率约为______（保留一位小数）。

10.光耦合器的作用是______光信号。

单项选择题（共10题，每题2分）

1.用于图形转移的技术是（）

A.离子注入B.光刻C.刻蚀D.沉积

2.PECVD的中文全称是（）

A.等离子体增强化学气相沉积B.物理气相沉积C.原子层沉积D.化学气相沉积

3.传输损耗最低的硅波导类型是（）

A.脊形波导B.条形波导C.掩埋式波导D.平板波导

4.硅干法刻蚀常用气体是（）

A.O?B.CF?C.H?D.N?

5.光刻曝光后下一步是（）

A.显影B.涂胶C.清洗D.烘烤

6.硅基激光器常用集成材料是（）

A.硅B.锗C.III-V族材料D.二氧化硅

7.形成pn结的工艺是（）

A.刻蚀B.掺杂C.沉积D.抛光

8.不常见的晶圆直径是（）

A.100mmB.200mmC.300mmD.400mm

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