2026-2030年碳化硅在太赫兹通信器件中的高频特性与2029年技术验证路径.docx

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《2026-2030年碳化硅在太赫兹通信器件中的高频特性与2029年技术验证路径》行业研报

摘要

本报告聚焦于碳化硅(SiC)材料在6G太赫兹通信器件中的高频特性研究，涵盖2026-2030年技术演进周期，并重点规划2029年核心技术验证路径。研究范围界定于300GHz至3THz频段的固态电子器件，深度剖析SiC基氮化镓(GaN-on-SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC衬底集成天线、以及SiC基太赫兹肖特基二极管等核心器件方向。

在宏观层面，全球6G研发竞赛已进入关键窗口期，中国“十四五”规划将太赫兹通信列为前沿技术攻关方向，政策驱动与技术突破形成共振。产业层面，