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RuO2外延薄膜的制备及其磁学性质的研究

本研究旨在探讨RuO2外延薄膜的制备方法，并对其磁学性质进行深入分析。通过采用化学气相沉积（CVD）技术，成功制备了高质量的RuO2外延薄膜。随后，利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和振动样品magnetometer（VSM）等实验手段对薄膜的晶体结构、表面形貌以及磁性能进行了详细表征。结果表明，所制备的RuO2薄膜具有优异的结晶性和低的矫顽力，为进一步研究其在磁存储领域的应用提供了基础。

关键词：RuO2；外延薄膜；制备方法；磁学性质；CVD技术

1.引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的快速发展，磁存储技术作为数据存储的重要手段之一，其性能的提升受到了广泛关注。RuO2作为一种重要的过渡金属氧化物，因其独特的物理和化学性质，在磁存储领域展现出巨大的应用潜力。然而，RuO2薄膜的制备工艺复杂，且其磁学性质尚未得到充分研究。因此，探索RuO2外延薄膜的制备方法及其磁学性质，对于推动磁存储技术的发展具有重要意义。

1.2研究现状

目前，关于RuO2薄膜的研究主要集中在其制备方法和结构调控上。已有研究表明，通过改变生长条件，如温度、压力和氧气流量等，可以有效调控RuO2薄膜的晶体结构和磁性能。然而，关于RuO2外延薄膜制备过程中的关键技术参数及其对薄膜性能的影响尚缺乏系统的研究。此外，现有文献中对于RuO2薄膜磁学性