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光刻机系统工程师考试试卷及答案

光刻机系统工程师考试试卷及答案

填空题（共10题，每题1分）

1.光刻机中用于产生极紫外光的光源类型是______。

2.光刻机分辨率公式中的最小理论k1系数约为______。

3.浸没式光刻机常用的液体是______。

4.光刻机对准精度的常用单位是______。

5.EUV光刻机光学系统的核心部件是______。

6.检测晶圆位置的常用传感器类型是______。

7.光刻胶的主要成分包括树脂、光引发剂和______。

8.曝光剂量的单位是______。

9.EUV掩模的常用材料组合是硅和______。

10.光刻机产能的常用单位是______。

单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种光刻机波长最短？（）

A.193nm浸没式B.157nmC.13.5nmEUVD.248nm

2.决定光刻机分辨率的关键参数不包括？（）

A.波长B.数值孔径C.曝光剂量D.k1系数

3.浸没式光刻机的优势是？（）

A.提高数值孔径B.降低成本C.简化光学系统D.适用所有波长

4.EUV掩模保护膜的主要作用是？（）

A.防止污染B.增强反射C.提高透光率D.降低成本

5.套刻误差指的是？（）

A.掩模与晶圆对准偏差B.曝光剂量不均C.光刻胶厚度差异D.晶圆表面缺陷

6.以下不属于光刻机主要子系统的是？（）

A.光源系统B.光学系统C.晶圆传输系统D.化学气相沉