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Infineon功率晶体管ISC014N08NM6技术手册.pdf

Infineon功率晶体管ISC014N08NM6技术手册.pdf

    英飞凌ISC014N08NM6功率晶体管

    最终数据手册

    MOSFET

    英飞凌工业用80VOptiMOSTM6功率晶体管

    特性

    •N沟道，正常电平

    •R

    极低的导通电阻DS(on)

    •出色的栅极电荷xRDS(on)乘积(FOM)

    •极低反向恢复电荷(Qrr)

    •无铅镀层；符合RoHS标准

    •符合IEC61249-2-21标准的无卤素

    •非常适合高频开关和同步整流

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