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N沟道功率MOSFET 100V 80A低门极电荷特性.pdf

N沟道功率MOSFET 100V 80A低门极电荷特性.pdf

    FAIRCHILD

    SEMICONDUCTOR

    FDB3632_F085

    N-ChannelPowerTrench®MOSFET

    100V,80A,9mΩ

    Features

    •rDS(ON)=7.5mΩ(Typ.),VGS=10V,ID=80A

    •Qg(tot)=84nC(Typ.),VGS=10V

    •LowMillerCharge

    •LowQRRBodyDiode

    •UISCapability(SinglePulseandRepetitivePulse)

    •QualifiedtoAECQ

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