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6G通信太赫兹频段芯片封装的材料特性与互连技术研究

摘要

本报告聚焦于6G通信太赫兹（THz）频段芯片封装领域，系统研究封装材料的介电特性、传输损耗机制以及新型互连技术的演进路径。研究范围覆盖100GHz至1THz频段内的芯片封装材料体系、互连架构及测试验证方法，时间跨度以2024年为基准，前瞻至2035年商业化窗口。

报告核心发现表明：传统环氧树脂基封装材料在300GHz以上频段损耗急剧上升，介电损耗角正切（Df）普遍超过0.01，已无法满足太赫兹通信对信号完整性的严苛要求。液晶聚合物（LCP）、环烯烃共聚物（COC/COP）及改性聚四氟乙烯（PTFE）等新型低损耗介