集成电路工程导论 课件全套 01_集成电路入门---08集成电路前沿技术与发展趋势.pptx

;项目1｜集成电路入门;;;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;主流工艺，多晶硅在石英坩埚中熔融（1420℃），以籽晶定向提拉生成低氧单晶硅。氧含量10~18ppm，适用于集成电路制造。

工艺要点：使用特定晶向的籽晶接触熔融硅表面，以精确控制的速率向上提拉并旋转，使硅原子按籽晶晶格排列结晶。;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;项目1｜集成电路入门;