半导体器件物理（第2版）试卷及答案.docxVIP

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《半导体器件物理》期末试卷（A）

题号

一

二

三

四

总分

得分

阅卷人

(注：可以使用函数型计算器)

相关参数和公式提示：

，，，，（室温T=300k）

（N：衬底掺杂浓度）

，,

，

得分

阅卷人

一、判断题：(每题1分，共15分)

1.()半导体晶体一个重要的特性就是所谓的各向异性。因此，制造不同类型的器件通常需要选择不同的晶向。

2.()对Si晶体材料而言，掺入三价元素硼会形成N型半导体，主要依靠电子导电。

3.()半导体Si材料一般对温度敏感，当温度上升时其电导率会上升。

4.()P-Sub的理想MOS结构在耗尽状态时，半导体表面空间电荷区的电荷主要是带负电的受主离子，此时半导体表面可以导电。

5.()金属与半导体直接接触有可能形成欧姆接触或肖特基接触，其中具有整流特性的是肖特基接触。

6.()正向电压作用下PN结电容以扩散电容为主，反向电压作用下PN结电容以势垒电容为主。

7.()若形成PN结的原始衬底材料的掺杂浓度越低，则该PN结反偏时所对应的空间电荷区宽度就越宽。

8.()晶体管一旦击穿，通常也就丧失了正常功能，即