IEC 636012026 电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评价指南标准立项发展报告.docx

电力电子转换用碳化硅金属氧化物半导体器件偏压温度不稳定性评价指南标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:GuidelineforEvaluatingBiasTemperatureInstabilityofSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorDevicesforPowerElectronicConversion

摘要

关键词：碳化硅；MOSFET；偏压温度不稳定性；国际电工委员会；可靠性评价；电力电子转换；宽禁带半导体

Keywords:SiliconCarbide;M