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氮氢等离子体处理对TiC/n型4H-SiC欧姆接触特性的影响及机制研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体材料与器件的研究领域，4H-SiC作为一种极具潜力的宽禁带半导体材料，凭借其出色的物理化学特性，在高温、高压、高频等极端环境下展现出了广泛的应用前景，引起了科研人员和产业界的极大关注。与传统的硅（Si）材料相比，4H-SiC具有10倍的击穿电场强度，这一特性使其能够承受更高的电压，为制造高耐压器件提供了可能；其热导率约为Si的3倍，这意味着在器件工作时能够更有效地散热，降低器件的工作温度，从而提高器件的稳定性和可靠性；4H-SiC还具有高电子饱和漂移速度等优势，可实现更高的工作频率和更快的开关速度，满足现代电子设备对高性能的需求。在新能源汽车的充电桩中，使用4H-SiC功率器件能够显著提高充电效率，减少充电时间；在智能电网的电力传输和分配系统中，4H-SiC器件可降低能量损耗，提高电力系统的稳定性和可靠性。

在4H-SiC器件的制备过程中，欧姆接触是至关重要的环节。欧姆接触作为金属与半导体之间的一种理想接触，其特点是具有低电阻率，且电阻不随电压变化，这一特性确保了电流能够在金属和半导体之间自由传输，而不会产生额外的势垒电压。欧姆接触的性能直接影响着4H-SiC器件的效率、增益和开关速度等关键性能指标。在