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基于碳化硅的自动驾驶域控制器冗余电源架构市场调研

摘要

本报告聚焦于碳化硅功率器件在L3级及以上自动驾驶域控制器冗余电源架构中的应用市场，系统调研了功能安全需求、SiC技术优势、市场竞争格局及未来趋势。调研范围覆盖全球主要市场，时间跨度从2023年至2030年，综合运用了行业访谈、专家咨询及二手数据研究等方法。

核心发现表明，随着L3级自动驾驶进入规模化量产前夕，功能安全标准ISO26262ASILD对电源系统提出了完全冗余、独立隔离与故障容错等严苛要求，这直接驱动了电源架构从传统硅基分散式设计向基于SiC的高集成度、高可靠性集中式冗余架构演进。

SiCMOSFET凭