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2026年专利代理师半导体专利审查试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某3DNAND存储结构专利申请的权利要求1记载“沟道层厚度为纳米级”，审查意见以该表述含义模糊、权利要求不清楚为由要求申请人修改，申请人提出的下列抗辩理由中，符合专利审查规则的是？

A.“纳米级”属于本领域公知常识界定的1-1000nm范围，含义明确

B.说明书第0027段明确界定本申请所述“纳米级”特指3DNAND沟道层适用的10-50nm范围

C.同领域对比文件普遍使用“纳米级”表述厚度，因此本申请表述符合行业惯例

D.所属技术领域的技术人员结合3DNAND的常规结构可直接确定沟道层厚度