玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的制备工艺与特性研究.docxVIP

玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的制备工艺与特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电器件领域，GaN薄膜凭借其卓越的物理特性，成为了研究和应用的焦点。GaN属于Ⅲ族直接带隙半导体，室温下禁带宽度达3.39eV，其与氮化铟（InN）、氮化铝（AlN）的合金可实现带隙宽度从红外到紫外区的连续可调。这一特性使得GaN在蓝、绿、紫外发光二极管（LED）、激光二极管（LD）及太阳盲区紫外探测器等光电器件方面有着不可或缺的地位。例如，在照明领域，GaN基LED以其高效节能、长寿命等优势，逐渐取代传统照明光源；在光通信中，基于GaN的光电器件能够实现高速率、低损耗的信号传输。

在众多衬底材料中，玻璃衬底脱颖而出，展现出诸多优势。玻璃衬底具有成本低廉的特点，其原材料丰富且制备工艺成熟，大规模生产时成本优势显著，能有效降低光电器件的整体制造成本。玻璃衬底还具有极高的光学透明度，可使光线最大限度地透过，这对于需要良好光学性能的光电器件至关重要，如透明显示器、光电探测器等。此外，玻璃衬底的化学稳定性高，能抵抗多种化学物质的侵蚀，确保在复杂环境下光电器件的性能稳定；其表面平整度极佳，为薄膜沉积提供了良好的基础，有助于提高薄膜的质量和器件的性能。

然而，传统的GaN薄膜制备方法，如氢化物气相外延（HVPE）、金属有机物化学气相沉积（MOCVD）等，薄膜沉积温度通