CN119132964A 一种mosfet结构的制作方法及mosfet结构 （深圳市森国科科技股份有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119132964A

(43)申请公布日2024.12.13

(21)申请号202411617534.9

(22)申请日2024.11.13

(71)申请人深圳市森国科科技股份有限公司

地址518000广东省深圳市南山区粤海街

道高新南九道10号深圳湾生态园10栋

A座12层

(72)发明人李佩珊杨承晋刘涛

(74)专利代理机构深圳砾智知识产权代理事务

所(普通合伙)44722

专利代理师张合成

(51)Int.Cl.

H01L21/336(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L29/06(2006.01)