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  • 2026-08-28 发布于上海
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国家标准

电子器件用氮化镓外延片

编制说明

(征求意见稿)

北京大学东莞光电研究院

二〇二六年七月

1

国家标准《电子器件用氮化镓外延片》编制说明

(征求意见稿)

一、工作简况

1、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2025年第八批推荐性国家标准计划及相关标

准外文版计划的通知》(国标委发[2025]47号)的要求,由北京大学东莞光电研究院所

负责牵头制定《电子器件用氮化镓外延片》,计划编号T-469。经过原国标

委工业一部、工业二部认可,半导体材料标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员

会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC

203/SC2)共同提出并归口,具体见标委工二函[2014]11号。

2、制定背景

近年来,GaN电子器件市场

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