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高性能沟道80V MOSFET特性.pdfVIP

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  • 2026-08-28 发布于北京
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高性能沟道80V MOSFET特性.pdf

    2013年5月

    FDD86326

    ®

    N沟道栅PowerTrenchMOSFET

    80

    V,

    37

    A,

    23

    m

    特性概述

    ®

    ◼栅MOSFET技术◼最大导通电阻DS(on)=23m（V这款N沟道MOSFET采用飞兆先进的PowerTrench工艺

    =10V,

    I=8A条件下）◼最大导通电阻=37m制造，融合了栅技术。该工艺针对导通电阻DS(on)、开关性能

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