CN119148461A 离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法 (荣芯半导体(宁波)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-08-28 发布于重庆
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CN119148461A 离子注入层的光学临近效应修正方法和半导体器件制造方法 (荣芯半导体(宁波)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119148461A

(43)申请公布日2024.12.17

(21)申请号202411604873.3

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人荣芯半导体(宁波)有限公司

地址315809浙江省宁波市北仑区柴桥街

道金水桥路28号4幢1号1层-1

(72)发明人苗吉峰吴胜武

(74)专利代理机构上海思捷知识产权代理有限

公司31295

专利代理师王宏婧

(51)Int.Cl.

G03F1/36(2012.01)

H01L21/266(2006.01)

G03F7/20(2006.01)

G06F30/392(2020.01)

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