CN119208381A 一种屏蔽栅沟槽mosfet器件结构和制作方法 （江苏慧易芯科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119208381A

(43)申请公布日2024.12.27

(21)申请号202411608071.X

(22)申请日2024.11.12

(71)申请人江苏慧易芯科技有限公司

地址214000江苏省无锡市滨湖区建筑西

路777号A3幢16层

(72)发明人张鹏程孟宇

(74)专利代理机构无锡睿升知识产权代理事务

所(普通合伙)32376

专利代理师张悦

(51)Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L23/48(2006.01)

H01L21/336(2006.01)