CMOS电路设计与面试问题.pdfVIP

CMOS面试问题

1)

锁存现象是什么？

锁存现象是指电路中意外形成一个寄生晶闸管（如寄生硅控整流器，SCR），一旦被意外

触发或开启，就会导致大量电流持续通过该寄生晶闸管。根据涉及的电路不同，这种机制

产生的电流可能大到足以因电气过应力（EOS）而导致设备永久损坏。

2)为什么在制造过程中更倾向于使用NAND门而不是NOR门？

NAND门比NOR门更适合设计，因为在晶体管层面，电子的迁移率通常是空穴的三倍，因此

NAND门速度更快。

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此外，NAND结构中的栅极漏电流也更低。如果你考虑tphl和tplh延迟，你会发现

NAND的情况更加对称（延迟曲线），但对于NOR来说，其中一个延迟明显高于另一个

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（显然tplh更高，因为较高的电阻p型MOSFET是串联连接，这进一步增加了电阻）。

3)什么是噪声裕量？解释确定噪声裕量的步骤

输入阶段允许的最小噪声量，此时输出不会受到影响。

4)解释逆变器的尺寸确定？

为了驱动所需的负载电容，须增加反相器的尺寸（宽度）以获得优化的性能。

5)

如何确定NMOS和PMOS晶体管的尺寸以增加阈值电压？

6)

什么是噪声裕