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《模拟集成电路设计原理》期末考试

一.填空题每（空1分，共14分）

1.与其它类型的晶体管相比,MOS器件的尺寸很容易按比例一缩小,CMOS电路被证明具有较低

_的制造成本。

2、放大应用时，通常使MOS管工作在一饱和区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义一跨导一来表

示电压转换电流的能力。

3.人为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，入值一较小―（较大、较小）。

4.源跟随器主要应用是起到电压缓冲器的作用。

5.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗_很高，因此可以做成恒定电流源_。

6.由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称一等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出

的改变。

7、理想情况下，一电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟

长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为一共源共栅电流镜_结构。

8、为方便求解，在一定条件下可用一极点一结点关联一法估算系统的极点频率。