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2026年最新半导体面试试题及答案

1.请对比FinFET与GAAFET的结构差异，解释GAA能支撑3nm及以下工艺节点的核心原因？

答案：FinFET的核心结构是鳍状沟道被栅极三面包裹，仅底部与衬底接触，栅控能力相比平面MOSFET有量级提升，但当工艺节点推进到3nm，栅长压缩至12nm以下时，三面栅的结构无法完全抑制短沟道效应，漏电流会飙升至可接受范围的3倍以上，亚阈值摆幅最高只能达到70mV/dec，功耗和性能的平衡已经逼近物理极限。GAAFET（栅极环绕场效应晶体管）采用纳米线或纳米片作为沟道，栅极完全包裹沟道的四个面，栅控能力相比FinFET提升40%以上，亚阈值摆幅可以逼近60mV/dec的室温理论极限，相同性能下功耗降低30%左右，相同功耗下性能提升15%-20%。2026年量产的2nm节点普遍采用的MBCFET（多桥沟道场效应晶体管）属于GAA的分支，采用堆叠式纳米片结构，沟道宽度可以根据性能需求灵活调整，同时兼容现有FinFET的大部分制造工艺，是3nm-1.4nm节点的主流器件方案。GAA能支撑先进节点的核心原因还包括对阈值电压的调控更灵活，通过调整纳米片的厚度和栅极功函数，可以在不增加漏电流的前提下把阈值电压的调整范围扩大至±100mV，更好地兼顾高性能和低功耗的设计需求。

2.High-NAEUV（数值孔径0.55）相比传统0.33NAEUV在工艺上