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800V高压SiC电驱系统转子轴向主动位移补偿与电磁推力机构优化设计

摘要

随着电动汽车向800V高压平台演进，碳化硅（SiC）功率器件的高频开关特性使电驱系统功率密度显著提升，但高速电机转子轴向窜动问题日益突出。传统被动止推结构难以适应宽转速范围下的动态轴向力波动，导致轴承磨损加剧、系统NVH性能恶化。

本论文围绕800V高压SiC电驱系统，设计一种转子轴向主动位移补偿推力盘结构，建立电磁力与轴向振动耦合方程，并优化电磁推力控制算法以抑制高速轴向窜动。研究遵循“需求分析→总体设计→详细设计→实现→测试”的工程递进思路展开。

论文首先分析800VSiC电驱系统轴向窜动的机理与抑制需求，明确设计目标与功能指标。进而提出基于双绕组差动励磁的主动推力盘拓扑结构，建立包含电磁力-轴向位移-控制电流的多物理场耦合数学模型。在此基础上，设计模型预测控制（MPC）与扰动观测器相结合的复合控制策略，实现轴向位移的实时估计与主动补偿。通过Simulink仿真与硬件在环实验验证，结果表明该方案在全转速范围内可将轴向窜动幅值降低至传统方案的30%以下，响应时间小于5ms。本设计的核心创新在于将电磁推力机构与主动控制深度融合，为800VSiC电驱系统转子轴向稳定性提供了新的工程解决方案。

第一章绪论

1.1研究背景

电动汽车电驱系统正加速向800V高压平台转型，这一趋势源于对充电