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模拟电子技术基础第五版童诗白华成英课后答案.pdfVIP

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模拟电子技术基础第五版童诗白华成英课后答案.pdf

    1.4习题解答

    14.1自测题

    一、判断下列说法是否正确，用“V”和“x”表示判断结果填入括号内。

    (1)P型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为N型半导体。()

    (2)因为P型半导体的多子是自由电子，所以它带正电。()

    (3)PN结无光黑、无外加电压时，结电流为零。()

    (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

    (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其《淮

    大的特点。()

    (6)若耗尽型N沟道MOS管的〃大于零，则其输入电阻会明显变小。()

    解:([)V(2)x(3)V(4)x(5)V(6)x

    二、选择正确

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